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RAM Speicher PNY MD4GSD42666 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19

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  • Technologie: DDR4
  • Spannung:
    • 1.2 V
    • 1,2 V
  • Art: Speicher (RAM)
  • Latenzzeit: CL19
  • Anschlüsse: DIMM
  • RAM Speicher: 4 GB RAM
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz
  • Kapazität:
    • 40 g
    • 4 GB
  • Speicher Typ: DDR4
  • Kompatibel: PC/Server

PNY Performance. Component for: PC / Server, Arbeitsspeicher (RAM): 4 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, CAS Latenz: 19


  • Arbeitsspeicher (RAM): 4 GB
  • Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB
  • Interner Speichertyp: DDR4
  • Speichertaktfrequenz: 2666 MHz
  • Component for: PC / Server
  • CAS Latenz: 19
  • Speicherkanäle: Single-channel
  • Speicherspannung: 1.2 V
  • Verpackungsart: Sichtverpackung
PNY
M0516815
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